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【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー テレワーク応援キャンペーン
【オンライン配信セミナー1名受講限定】

『SiCパワーデバイスのための高温耐熱実装技術【LIVE配信】』
■パワー半導体の実装材料、実装技術■ ■高温耐熱導電接続技術■
■Ni系接合材料を用いたパワー半導体実装技術の開発■
 開催日時   2024年3月8日(金) 13:00~16:30 
開催場所  【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。
価格 49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) 定価:本体45,000円+税4,500円
E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円
  受講申込要領
価格関連
備考
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件2名で49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額24,750円)
※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
1名申込みの場合:受講料( 定価:37,400円/E-mail案内登録価格 35,640円 )
 定価:本体34,000円+税3,400円
 E-mail案内登録価格:本体32,400円+税3,240円
※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※通信欄に【テレワーク応援キャンペーン】とご記入のうえお申込みください。
備 考 配布資料 製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定)
 ※開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が開催日に間に合わないことがございます。
  Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
1)Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2)セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3)開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。
主 催  サイエンス&テクノロジー 

 ※請求書、招待メール等は、サイエンス&テクノロジーより送付いたします。

 講師 早稲田大学 名誉教授/招聘研究員 巽 宏平 氏
<経歴>
1978年 早稲田大学修士課程修了
1983年 アーヘン工科大学(ドイツ)博士課程修了 Dr.-Ing.(工学博士)
1983年~2008年 日本製鉄(当時 新日本製鐵)先端技術研究所にて、鉄鋼、半導体関連材料、半導体実装技術に関する研究開発、新規事業開発に従事。2001年~2008年同上新材料研究部長
2008年~2010年 日鉄ケミカル&マテリアル 取締役技術部長
2010年~2023年 早稲田大学大学院情報生産システム研究科教授、2018年~2020年早稲田大学大学院情報生産システム研究科長、情報生産システム研究センター所長他 歴任、2013年~2018年 内閣府戦略的イノベーション創造プログラムSIP(次世代パワーエレクトロニク)「自動車向けSiC耐熱モジュール実装技術の研究開発」テーマリーダー
2023年~早稲田大学名誉教授、招聘研究員
<専門>
材料科学、半導体インターコネクション、
<研究内容>
材料の界面(結晶粒界、接合界面など)の信頼性に関わる研究、半導体実装材料、実装技術に関わる研究開発
<受賞>
・日経エレクトロニクス パワー・エレクトロニクス・アワード2019 最優秀賞(SiCパワーモジュールを高温対応へNiマイクロめっき接合で250℃動作)、2019年12月。
・日経BP技術賞(内部欠陥の少ない大口径炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハーの製造、2008年3月。 他
 習得できる知識 半導体実装に関わる新規実装材料、特に導電材料に関わる基礎物性ならびにその応用課題についての理解を深めると同時に高温耐熱実装技術に関わる最新の差別化技術についての知見を得る。
 趣旨  SiCパワー半導体は省エネルギーパワーデバイスとして長年その実用化が期待され、幅広い研究開発が実施されてきた結果、近年本格的な市場への導入が始まってきた。SICデバイスは高出力密度での使用が可能であることから、デバイス実装の高耐熱化の要求がますます高まってきている。ここでは従来の実装技術における課題と今後期待される新たな実装材料、実装技術について、講演者のグループの開発成果を中心に講演する。
プログラム 1.はじめに
2.パワー半導体の実装材料、実装技術
 2.1 半導体の実装材料、実装技術:
   (ワイヤーボンディング、ダイボンディング、フリップチップ接合、バンプ形成)
 2.2 パワー半導体の実装材料、実装技術
 2.3 自動車向けパワーモジュル実装技術の開発動向
 2.4 SiCパワーデバイス、モジュールの開発 動向について
3.高温耐熱導電接続技術
 3.1 材料特性とプロセス温度
   (ダイボンディング材料、ワイヤボンディング材料)
 3.2 新規開発材料の特徴と課題
 3.3 太線Agワイヤによるワイヤボンディング技術と信頼性
4.Ni系接合材料を用いたパワー半導体実装技術の開発
 4.1 Niナノ粒子による接合, ナノNi/マイクロAlハイブリッド粒子による接合
 4.2 Niマイクロめっき接合(NMPB)
 4.3 熱応力緩和型実装構造
 4.4 SiCパワーデバイス実装への適用
 4.5 他用途への展開
5.まとめと今後の展開
  □質疑応答□