1口(1社3名まで受講可能)でのお申込は、

 受講料  が格安となります。



☆☆☆Web配信セミナー☆☆☆

『レジスト材料/プロセスの基礎と
 実務上の最適化技術』
 



 S210716AW



 ☆☆☆本セミナーは、Zoomを使用して、行います。☆☆☆


開催日時:2021年7月13日(火)10:30-16:30
受 講 料:1人様受講の場合 51,700円[税込]/1名
     
1口でお申込の場合 62,700円[税込]/1口(3名まで受講可能)


 ★本セミナーの受講にあたっての推奨環境は「Zoom」に依存しますので、ご自分の環境が対応しているか、
 お申込み前にZoomのテストミーティング(http://zoom.us/test)にアクセスできることをご確認下さい。

 ★インターネット経由でのライブ中継ため、回線状態などにより、画像や音声が乱れる場合があります。
 講義の中断、さらには、再接続後の再開もありますが、予めご了承ください。

 ★受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。


新宣伝セミナー日程表


Web配信(Zoom)セミナー日程表


***
関連Web配信セミナー*** 『5G・ミリ波対応のプリント基板及び実装技術のノウハウとトラブル対策』(2021年6月30日(水))


講 師

 

 河合 晃(かわいあきら) 氏 

   国立大学法人長岡技術科学大学大学院 電気電子情報工学専攻 電子デバイス・フォトニクス工学講座 教授(博士(工学))
    / アドヒージョン株式会社 代表取締役(兼務)

 <経歴、等>  三菱電機株式会社ULSI研究所での勤務を経て、大学にて電子デバイス、実装技術、リソグラフィ、コーティング、表面界面、プロセス技術の研究開発に従事。各種論文査読委員、NEDO技術委員、国および公的プロジェクト審査員などを歴任。原著論文160報以上、国際学会120件、講演会200回以上、特許出願多数、受賞多数。大学ベンチャー企業として、アドヒージョン椛纒\取締役を兼務。共同研究および技術コンサルティング実績100社以上。

 セミナーの概要

 

 現在、レジスト材料は、半導体、ディスプレイ、プリント基板、太陽電池、MEMS等の多くの電子産業分野において、世界市場で実用化されています。その市場規模は、年間1500億円におよび年々拡大しています。その反面、レジスト材料プロセス技術の高度化に伴い、フォトレジストの品質が製品に与える影響も深刻化しています。また、レジストユーザーの要求も幅広くなり、レジスト材料および装置メーカー側は対応に追われる状況です。
 本セミナーでは、レジスト材料開発、およびレジスト処理装置関連の技術者、レジストユーザー、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明します。また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説します。初心者にも分かりやすく、基礎から学べる内容となっています。また、最近の傾向として、レジスト材料メーカーおよび装置メーカーにおいても、デバイス作製のノ ウハウと知識が求められてきています。レジストユーザーの視点とは何かを講師の経験も含めて詳述します。
 受講対象者として、レジスト材料開発、電子デバイスメーカー、レジスト処理装置、プリント基板関係の技術者、および、初めてレジスト材料を扱う方、レジストを使用して製品・開発を生産する方、レジスト分野の技術指導をする方など、初心者から実務者まで広範囲の方を想定しています。本セミナー受講後、レジスト開発、レジスト処理装置開発、レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ、最適化法、トラブル対処法、ユーザー側での評価手法などが理解できるようになることを目指します。

 講義項目

 

 1 レジスト・リソグラフィ産業の現状
  1.1 レジスト材料の市場競争力向上〜競争力の鍵とは
  1.2 ユーザーの導入基準とは(基本性能評価、Open/Short評価、デバイス信頼性評価、量産適用性、レジスト/装置のハイブリッド運用)
  1.3 デバイス量産工場におけるレジストの現状(回路設計とプロセスマージン)

 2 リソグラフィプロセスの基礎〜これだけは習得しておきたい
  2.1 レジスト材料/プロセスの最適化(レジスト材料(i線、KrF,ArF,EUV,EB)、プロセスフロー、ポジ型/ネガ型の選択基準、光化学反応メカニズム、パターン現像、PEB、TARC/BARC、厚膜レジスト、平坦化)
  2.2 露光描画技術の最適化(露光システム(ステッパー、スキャナー、EUV)、レイリ―の式、解像力、焦点深度、液浸露光、重ね合わせ技術)
  2.3 レジストコントラストで制御する(光学像コントラスト、残膜曲線、溶解コントラスト、現像コントラスト、パターン断面形状改善)
  2.4 エッチングマスクとしてのレジスト(プラズマとは、等方性/異方性エッチング、RIE、エッチング残さ、ローディング効果、選択比、ウェットエッチング、レジスト
浸透と膨潤)
  2.5 レジスト処理装置の最適化(HMDS処理、コーティング、現像、レジスト除去の要点)

 3 レジストプロセス技術
  3.1 高解像プロセス技術(EUV、k1<0.25の実現、位相シフト、液浸、ダブル/マルチパターニング技術、LELE型、スペーサ/サイドウォール型、多層レジスト)
  3.2 レジスト支援プロセス技術(ペリクル、イメージリバーサル、表面難溶化プロセス、光造形、ナノインプリント)
  3.3 プリント基板、ソルダーレジスト技術(5G対応プリント基板技術、DFR/メッキプロセス、耐はんだ性)
  3.4 シミュレーション技術〜効果的な技術予測(レジスト形状、ノズル塗布、スピンコート、パターン内3次元応力解析)


 4 レジスト欠陥・剥離対策〜歩留り向上の最優先対策とは
  4.1 致命欠陥とは(配線上異物、ショート欠陥、バブル欠陥、塗布ミスト、接触異物、フィルタリング、欠陥計測法)
  4.2 プロセス欠陥と対策(乾燥むら、ベナールセル、環境応力亀裂、ピンホール、膜はがれ)
  4.3 剥離メカニズムとその影響因子とは(付着促進要因と剥離加速要因、検査用パターン)
  4.4 過剰なHMDS処理はレジスト膜の付着性を低下させる(最適な処理温度と処理時間)
  4.5 乾燥プロセスでのパターン剥離を検証する(毛細管現象、パターン間メニスカス、エアートンネル)
  4.6 レジスト膜の応力をin-situ測定する(減圧処理、応力緩和と発生、溶剤乾燥、拡散モデル)
  4.7 パターン凸部は凹部よりも剥離しやすい(アンダーカット形状、応力集中効果、表面硬化層)
  4.8 パターン熱だれ・変形対策(樹脂の軟化点、パターン形状依存性、体積効果、DUVキュア)


 5 レジスト材料・プロセスの高精度計測技術
  5.1 原子間力顕微鏡(AFM)によるパターン付着力測定方法(DPAT法)
  5.2 LER解析(表面難溶化層、側面粗さ)
  5.3 共焦点レーザー顕微鏡(CLSM法)による現像過程の解析(レジスト溶解挙動のリアルタイム解析)


 6 質疑応答



 お1人様      受講申込要領 1口(1社3名まで) 受講申込要領 セミナー 総合日程 
新宣伝 セミナー日程