CMP技術の基礎と最新動向

～パワー半導体 / シリコン半導体におけるCMP技術動向～


　S230929NW


本セミナーは Zoom を使用いたします。

開催日時：2023年12月8日（金） 13:00-16:30　（12:55受付開始）

受 講 料：お1人様受講の場合　51,700円[税込] / 1名

　　　　　1口でお申込の場合　66,000円[税込] / 1口（3名まで受講可能）

　鈴木 恵友　氏　　　　九州工業大学　大学院情報工学研究院 知的システム工学研究系　教授

　　１．CMP技術の概要 　
　　　　1-1　CMPの適用例～半導体プロセスでCMPの頻度が増えたのは何故か　
　　　　1-2　CMPの除去メカニズム 　
　　　　1-3　装置概要 　
　　　　1-4　洗浄プロセスについて

　　2．パワー半導体とシリコン半導体におけるCMP技術の違い
　　　　2-1　研磨レート、均一性 　
　　　　2-2　工程管理とモニタリング手法の概念 　
　　　　2-3　研磨材調合の考え方（一般的な内容）
　　　　2-4　ポリシングパッドについて

　　3．パワー半導体におけるCMP技術について 　
　　　　3-1　基板製造プロセス概要 　
　　　　3-2　基板研磨法 　
　　　　3-3　高効率研磨微粒子による研究事例

　　４．シリコン半導体に関するCMP技術について
　　　　4-1　フロントエンドにおけるCMPの適用 　
　　　　4-2　エンドポイントの考え方 　
　　　　4-3　パターン研磨における課題

　　５．CMPの今後、将来展望