セミナー　Web配信　Zoom　半導体プロセスドライエッチング物理化学原理プラズマ装置プラズマ構造ダイナミクス気相反応反応性イオンエッチング RIE 原子層エッチング ALE プロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション DX 容量結合型プラズマ CCP 誘導結合型プラズマ ICP PA-ALE リガンド交換金属錯体形成　大阪大学　浜口智志

開催日時：2024年4月23日（火）10:00-16:30
受講料：お1人様受講の場合　53,900円[税込]／1名
　　　　　1口でお申込の場合　66,000円[税込]／1口（3名まで受講可能）

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　講義の中断、さらには、再接続後の再開もありますが、予めご了承ください。

　★受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。

＜略歴＞

　1982年　東京大学　理学部　物理学科　卒業
　1987年　東京大学大学院　理学系研究科　物理学専攻　博士課程修了
　1988年　ニューヨーク大学大学院　数学科　博士課程修了
　1988年-1990年　テキサス大学物理学科　核融合研究所　研究員
　1990年-1998年　IBM ワトソン研究所　主任研究員
　1998年-2004年　京都大学　エネルギー科学研究科　助教授
　2004年　　大阪大学　工学研究科　教授
　　現在に至る

＜学会活動等＞

　国際真空科学技術応用国際連合（IUVSTA）プラズマ科学技術分科会（PSTD）長（2019-2021）、Journal of Plasma Medicine 編集委員長（2019-現在）、プラズマ医療国際学会（IPMS）会長（2015-2016）、米国真空学会（AVS）プラズマ科学技術分科会（PSTD）分科会長（2014）等歴任
　米国物理学会（APS）フェロー、米国真空学会（AVS）フェロー、応用物理学会（JSAP）フェロー

　セミナーの概要

　本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。
　具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング（RIE）から、近年注目を集める原子層エッチング（ALE）にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積（ALD）プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション（DX）の最新研究動向についても、概要を紹介する。
　プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

　講義項目

　1　背景

　2　プラズマ科学の基礎

『半導体ドライエッチングの基礎と
　原子層プロセスの最新動向』

～基礎となる物理化学原理から解説する～

S240423AW

浜口智志（はまぐちさとし）　氏

大阪大学　工学研究科　マテリアル生産科学専攻　教授（理学博士）

1　背景

2　プラズマ科学の基礎

3　代表的なプラズマプロセス装置

3.1　容量結合型プラズマ（CCP）装置
　　3.2　誘導結合型プラズマ（ICP）装置

4　反応性イオンエッチング（RIE）の基礎

4.1　プラズマ表面相互作用
　　4.2　表面帯電効果
　　4.3　シリコン系材料エッチング反応機構
　　4.4　金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
　　4.5　高アスペクト比（HAR）エッチング概要

5　プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD）の基礎として

6　ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として

6.1　熱ALD
　　6.2　プラズマ支援（PA-）ALD

7　ALEプロセスの概要と最新技術動向

7.1　PA-ALE
　　7.2　熱ALE：リガンド交換
　　7.3　熱ALE：金属錯体形成

8　半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX）

9　まとめ

『半導体ドライエッチングの基礎と 原子層プロセスの最新動向』

～基礎となる物理化学原理から解説する～

S240423AW

浜口智志（はまぐちさとし） 氏

大阪大学 工学研究科 マテリアル生産科学専攻 教授（理学博士）

1 背景

2 プラズマ科学の基礎

3 代表的なプラズマプロセス装置

3.1 容量結合型プラズマ（CCP）装置 3.2 誘導結合型プラズマ（ICP）装置

4 反応性イオンエッチング（RIE）の基礎

4.1 プラズマ表面相互作用 4.2 表面帯電効果 4.3 シリコン系材料エッチング反応機構 4.4 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構 4.5 高アスペクト比（HAR）エッチング概要

5 プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD）の基礎として

6 ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として

6.1 熱ALD 6.2 プラズマ支援（PA-）ALD

7 ALEプロセスの概要と最新技術動向

7.1 PA-ALE 7.2 熱ALE：リガンド交換 7.3 熱ALE：金属錯体形成

8 半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX）

9 まとめ

『半導体ドライエッチングの基礎と
　原子層プロセスの最新動向』

　～基礎となる物理化学原理から解説する～

　浜口智志（はまぐちさとし）　氏　

　　　大阪大学　工学研究科　マテリアル生産科学専攻　教授（理学博士）

　1　背景

　2　プラズマ科学の基礎

　3　代表的なプラズマプロセス装置

　　3.1　容量結合型プラズマ（CCP）装置
　　3.2　誘導結合型プラズマ（ICP）装置

　4　反応性イオンエッチング（RIE）の基礎

　　4.1　プラズマ表面相互作用
　　4.2　表面帯電効果
　　4.3　シリコン系材料エッチング反応機構
　　4.4　金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
　　4.5　高アスペクト比（HAR）エッチング概要

　5　プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD）の基礎として

　6　ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として

　　6.1　熱ALD
　　6.2　プラズマ支援（PA-）ALD

　7　ALEプロセスの概要と最新技術動向

　　7.1　PA-ALE
　　7.2　熱ALE：リガンド交換
　　7.3　熱ALE：金属錯体形成

　8　半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX）

　9　まとめ