ALD/ALEの基礎から
　最先端LSI応用まで

　S240208NW

本セミナーは Zoomを使用いたします。

開催日時：2024年2月8日（木）10:00-16:00　（9:55受付開始）

受 講 料：お1人様受講の場合　53,900円[税込] / 1名

　　　　　1口でお申込の場合　66,000円[税込] / 1口（3名まで受講可能）

　浦岡 行治　氏　　　　奈良先端科学技術大学院大学　物質創生科学研究科　教授

　　　　　　　　　　　　＜ 略 歴 ＞
　　　　　　　　　　　　　　　1985年3月　豊橋技術科学大学　電気電子工学専攻　修了
　　　　　　　　　　　　　　　1985年4月　松下電器産業株式会社入社
　　　　　　　　　　　　　　　1999年4月　奈良先端科学技術大学院大学　物質創生科学研究科　助教授
　　　　　　　　　　　　　　　2007年4月　奈良先端科学技術大学院大学　物質創生科学研究科　准教授
　　　　　　　　　　　　　　　2009年4月　現職

　

　1. 薄膜形成技術

　　　1.1　薄膜作成/加工の基礎
　　　1.2　薄膜の評価方法
　　　　1.2.1　電気的評価
　　　　1.2.2　化学的分析手法
　　　　1.2.3　光学的評価手法

　2. ALD技術の基礎

　　　2.1　ALD技術の原理
　　　2.2　ALD薄膜の特長
　　　2.3　ALD技術の歴史
　　　2.4　ALD装置の仕組み
　　　2.5　ALD技術の材料

　3. ALE技術の基礎

　　　3.1　ALE技術の原理
　　　3.2　ALEの歴史
　　　3.3　ALEの特長
　　　3.4　ALE技術の課題

　4. ALD技術の応用

　　　4.1　パワーデバイスへの応用
　　　4.2　酸化物薄膜トランジスタへの応用
　　　4.3　MOS LSIへの応用
　　　4.4　太陽電池への応用

　5. ALE技術の応用事例

　　　5.1　シリコン、窒化ガリウム等、半導体材料への応用
　　　5.2　シリコン酸化膜、窒化膜等、絶縁膜への応用
　　　5.3　Co等、金属膜への応用

　6. ALD/ALE技術の将来

　　　6.1　ALD/ALE技術の課題
　　　6.2　ALD/ALE技術の展望