SiCパワー半導体 /
SiC単結晶ウェハ技術の
最前線
■SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開
■SiC半導体国際会議（ICSCRM2023、9月・伊）での最新報告・動向
S231024NW
本セミナーは Zoom を使用いたします。
開催日時：2024年1月18日（木） 13:00-16:30 （12:55受付開始）
受 講 料：お1人様受講の場合 51,700円[税込] / 1名
1口でお申込の場合 66,000円[税込] / 1口（3名まで受講可能）
（公社）応用物理学会：代議員、先進パワー半導体分科会幹事長、フェロー
日本結晶成長学会：理事、評議員
The Electrochemical Society (ECS)：Symposium organizer
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
(ICSCRM)：国際諮問委員会委員、実行委員長、国際プログラム委員
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM)：国際プログラム委員
Japanese Journal of Applied Physics/ Applied Physics Expres：編集委員
IEEE Transaction on Electron Devices：Special issue editor
ECS Journal of Solid State Science and Technology：Special issue
editor
現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製
造が開始されることがアナウンスされています。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産
が始まるとされていますが、パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハ
が使用されています。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に高速・低損失のSiCショットキー障
壁ダイオード（SBD）、金属–酸化膜–半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）が製造・販売され、
鉄道車両や産業機器に搭載されていますが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そ
して低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要
不可欠であります。
本講演では、9月にイタリアで開催されるSiC半導体国際会議（ICSCRM2023）での最新報告・動
向も含めて、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジ
ネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論します。
商社、エンジニアリングメーカー、エンジンメーカー、工業炉メーカー、半導体材料・加工・装置・
デバイスメーカーの技術者・技術企画担当者・営業担当者、電気自動車開発技術者・技術企画担当者
・営業担当者などの方々に向けたセミナーです。
1. SiCパワー半導体開発の背景
1.1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
1.2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト
2. SiCパワー半導体開発の歴史
2.1. SiCパワー半導体開発の黎明期
2.2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー
3. SiCパワー半導体開発の現状と動向
3.1. SiCパワー半導体の市場
3.2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
3.3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース
4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
4.1. SiC単結晶とは？
4.2. SiC単結晶の物性と特長
4.3. SiC単結晶の各種デバイス応用
5. SiCパワーデバイスの最近の進展
5.1. SiCパワーデバイスの特長
5.2. SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状
5.3. SiCパワーデバイスのシステム応用
6. SiC単結晶のバルク結晶成長
6.1. SiC単結晶成長の熱力学
6.2. 昇華再結晶法
6.3. 溶液成長法
6.4. 高温CVD法（ガス法）
6.5. その他成長法
7. SiC単結晶ウェハの加工技術
7.1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
7.2. SiC単結晶の切断技術
7.3. SiC単結晶ウェハの研磨技術
8. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
8.1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
8.2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向
