トリケップス文献調査用資料 CD-WS028最新薄膜作製・加工・評価技術
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| 刊行月：1986年4月、価格：32,230円（税込） 体裁：CDR、222頁 監 修 村山洋一 東洋大学 工学部 電気工学科 教授 執筆者 大塚寿次 株式会社昭和真空 第2技術部 部長 伊井 亨 株式会社昭和真空 第2技術部 樋口静太郎 株式会社昭和真空 第2技術部 細川直吉 日電アネルバ株式会社 第2技術本部 薄膜プロセス開発部 部長 柏木邦宏 東洋大学 工学部 電気工学科 助教授 吉岡献太郎 沖電気工業株式会社 IC事業部 プロセス技術部 MOS技術課 課長 飯田進也 ウシオ電機株式会社 開発本部 副本部長 伊野洋一 日電アネルバ株式会社 第1技術本部 分析装置技術部 分析技術課 課長 松田彰久 電子技術総合研究所 材料部 アモルファス研究室 主任研究官 橋本 満 電気通信大学 材料科学科 磁性材料研究室 尾形仁士 三菱電機株式会社 中央研究所 主幹 寺内 暉 関西学院大学 理学部 物理学科 教授 |
| 内容項目 |
第1章 真空蒸着法
１．真空蒸着法
２．蒸発源
2.1 電子ビーム蒸発源
2.2 抵抗加熱式蒸発源
2.3 高周波誘導加熱式蒸発源
2.4 特殊な蒸発源
３．各蒸発方式の比較
第２章 スパッタリング法
１．ICプロセスにおけるスパッタリング
1.1 メタライゼーション
1.2 絶縁膜形成
２．スパッタ方式とスパッタ装置の分類
2.1 スパッタリング現象と膜付着速度
2.2 放電形式からみた分類
2.3 スパッタに特有な技巧
2.4 生産方式からみた分類
３．スパッタ条件と膜質の相関性
3.1 メタライゼーション膜
3.2 SiO2絶縁膜
第３章 イオンプレーティング法
１．イオンプレーティングの概要
２．イオンプレーティングの種類
３．気体放電とプラズマ
４．高周波イオンプレーティング
4.1 高周波イオンプレーティングと装置
4.2 イオンが存在する膜
５．反応性イオンプレーティング
第４章 CVD技術の概要
１．序
２．CVD技術
３．熱CVD法
3.1 熱CVD法の概要
3.2 常圧CVD
3.3 減圧CVD
４．プラズマCVD
4.1 プラズマCVD法の概要
4.2 プラズマCVD生成膜の概要
５．光CVD
5.1 光CVD法の概要
5.2 光CVD生成膜の概要
６．MOCVD膜
第５章 ドライエッチング
１．概説
２．エッチング装置
2.1 分類
2.2 装置の機能と特徴
３．ガスの選択
４．エッチングの諸問題
4.1 異方性エッチング
4.2 Alのアフタコロージョン
4.3 汚染とダメージ
第６章 ECRプラズマCVDによる低温成膜技術
１．概説
２．原理
2.1 ECRプラズマ及びプラズマの引き出し
2.2 ECRプラズマ流による膜生成
2.3 ECRデポジション法の特徴
３．実際の装置
3.1 装置構成及び特徴
3.2 装置の諸特性
４．応用
第７章 アモルファスSi作製技術
１．アモルファスシリコンとは（緒言）
２．グロー放電法（プラズマCVD)
2.1 装置概要
2.2 装置の取り扱い
３．良質膜を得るために
3.1 プラズマ条件と膜質
3.2 電源周波数の選択
４．膜厚、膜質モニター
５．結言
第８章 膜厚測定
１．概要
２．膜厚測定法
2.1 水晶子法
2.2 触針法
2.3 多重反射干渉法（Tolansky法)
2.4 光干渉法
2.5 球面研摩法
第９章 組成分析
１．はじめに
２．電子ビームを用いる方法
３．イオンビームを用いる方法
４．オージェ電子分光法
4.1 空間分解能
4.2 定量分析
５．X線微小分析と蛍光X線分析法
5.1 空間分解能
5.2 定量分析
６．二次イオン質量分析法
6.1 空間分解能
6.2 定量分析
第10章 薄膜の結晶構造解析
１．概説
２．X線回析法
2.1 X線回析の概要
2.2 X線回析実験技術
2.3 応用例
３．その他の方法
3.1 EXAFSによる薄膜の構造解析
3.2 EAPFSによる薄膜表面の構造解析
