JMS0427
『次世代パワーデバイス』
 SiC/GaNパワーデバイス、酸化ガリウムパワーデバイスについて詳細に解説して頂くことにより、本業界に関わる方々のビジネスに役立てて頂くことを目的とします。
 開催日時   2018年4月27日(金) 9:55~16:35(受付開始予定 9:25~)
会 場  東京都中央区立産業会館 4F 第1集会室
受講料  1名様 45,000円(税別)、テキスト及び昼食を含む
  受講申込要領
定 員  50名 
主 催  株式会社ジャパンマーケティングサーベイ 

 ※請求書、受講票等は、ジャパンマーケティングサーベイより送付いたします。
◇申し込み方法
 このページの「受講申込要領」から、お申込ください。また、所定事項をご記入の上、メール、またはFAXでお送りいただいてもけっこうです。
 申込書受領後、請求書及び受講証/会場地図を郵送致します。
◇お支払い
 請求書に記載されている弊社指定口座に、請求日の1か月以内にお振込みをお願い申し上げます。
◇キャンセル
 開催日の11日前まで:無料にてキャンセルする事が出来ます。 
 開催日より10日以内:全額申し受けさせていただく事になりますので、代理出席をお勧めいたします。代理出席もご無理な場合はテキストを後日郵送いたします。
◇特記事項
 講演会は受講者数が規定に達しない場合中止する場合があります。 尚、請求書は開催が決定した場合のみ送付いたします。
 会場内では写真撮影、録音、録画を禁止いたします。


講演テーマ/講師 第1講 SiC/GaNパワーデバイスの開発動向 10:00~13:40 … 12:00~12:40は昼食
 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授(博士(工学))  岩室憲幸 氏
1 パワーエレクトロニクスとは?
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワー半導体の種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 高周波化のメリット
 1-5 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
 1-6 パワーデバイス開発のポイント
2 最新シリコンIGBTの進展と課題
 2-1 IGBT開発のポイント
 2-2 初期のIGBTは全く売れなかった。なぜ?
 2-3 IGBT特性向上への挑戦
 2-4 薄ウェハ フィールドストップ(FS)型IGBTの誕生
 2-5 IGBT特性改善を支える技術
 2-6 薄ウェハ化の限界
 2-7 逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発
 2-8 最新のIGBT技術
3 SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 半導体デバイス材料の変遷
 3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-3 SiCのSiに対する利点
 3-4 SiC-MOSFETかSiC-IGBTか?
 3-5 SiCウェハができるまで
 3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3-7 SiCのデバイスプロセス
 3-8 SiCデバイス信頼性のポイント
 3-9 最新SiCトレンチMOSFET
4 GaNパワーデバイスの現状と課題
 4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4-2 GaNデバイスの構造
 4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴
 4-4 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4-5 GaN-HEMTの課題
 4-6 Current Collapse現象メカニズム
 4-7 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
 4-8 縦型GaNデバイスの最新動向
5 高温対応実装技術
 5-1 高温動作ができると何がいいのか
 5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
6 まとめ

第2講 酸化ガリウムパワーデバイスの開発動向 13:40~16:35
 国立研究開発法人情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター
 センター長(博士(工学))  東脇正高 氏
1 はじめに
 ・Ga2O3の材料的特徴(SiC, GaNとの比較から)
 ・将来的なGa2O3デバイスの用途
2 Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
 ・単結晶バルク融液成長
 ・単結晶Ga2O3ウェハー
3 Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
 ・MBE成長
 ・HVPE成長
4 Ga2O3トランジスタ開発
 ・横型MESFET
 ・横型DモードMOSFET
 ・横型フィールドプレートMOSFET
 ・横型EモードMOSFET
 ・縦型DモードMOSFET
 ・国内外他機関におけるGa2O3トランジスタ開発動向
5 Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
 ・HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
 ・縦型フィールドプレートSBD
 ・国内外他機関におけるGa2O3ダイオード開発動向
6 まとめ、今後の課題
※各講演時間に5分程度の質疑応答を含みます。