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※本セミナーはZoomを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
『半導体メモリデバイス技術の基礎と最新市場・研究動向【LIVE配信】』
◆受講者限定で見逃し配信(1週間:何度でも視聴可)を予定しております。
 開催日時   2022年5月27日(金) 12:30~16:30 
開催場所  【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。
価格 非会員: 49,500円 (本体価格:45,000円)
会員: 46,200円 (本体価格:42,000円)
学生: 49,500円 (本体価格:45,000円)

  受講申込要領
価格関連
備考
■会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円(税込)から
 ・1名で申込の場合、46,200円(税込)へ割引になります。
 ・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円(2人目無料)です。
備 考 【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
1)Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2)セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3)開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。
・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
主 催  R&D支援センター 

 ※請求書、招待メール等は、R&D支援センター社より送付いたします。

 講師 株式会社日立ハイテク
ナノテクノロジーソリューション事業統括本部 プロセス東京技術センタ 主任技師
松崎 望 氏
【ご専門】
半導体メモリデバイス
【ご略歴】
1988年 (株)日立製作所 日立研究所・中央研究所にて,主に不揮発性メモリの研究開発に従事。
2012年 (株)日立ハイテクの前身である(株)日立ハイテクノロジーズに転籍,メモリデバイスの技術マーケティングに従事。
 受講対象・レベル 若手技術職,営業職の方など,半導体メモリデバイスの概要を広く学習したい方全般。
必要な予備知識   電気・物理のごく初歩的な知識(「電子」,「電界」と言われて判る程度で可)
 習得できる
知識
各種メモリデバイスの動作原理・構造,最新の開発動向等をダイジェスト的に広く学習でき,各デバイスメーカの動向なども知ることができます。
 趣旨  半導体デバイスとその製造プロセス技術は微細化(スケーリング)によって進化を遂げ,その恩恵を受けたコンピューティング技術や情報通信技術は大きく発展してきました。それに付随して発生するデータ量は年々増大し,それを扱うために欠かせないデバイスであるメモリの重要性も益々高まっています。
 しかしながら,物理的な寸法限界,デバイスの動作特性あるいは製造コスト等の面から微細化それ自体が非常に難しくなってきたことも事実です。この壁を乗り越えるため,新たな材料や製造プロセス技術の導入によって微細化のトレンドを延命する,あるいはデバイスの構造スキームを変更することによって実質的な微細化を図る等,様々な工夫を凝らした技術開発が続いています。 本講義では,メモリデバイスの基本,最新の技術開発・研究状況および市場動向等を多面的かつ平易に解説していきます。
プログラム 1. はじめに ~メモリとは何か?~
      (1) メモリの役割
      (2) メモリのあゆみ
2. メモリの基礎知識
   2-1. 様々なメモリと位置付け
      (1) 揮発性と不揮発性
      (2) メモリの種類
      (3) コンピューティングとメモリとの関係
   2-2. DRAM
      (1) 動作原理と特徴・構造
      (2) スケーリングの飽くなき追求
      (3) 製造プロセスフロー例
      (4) 市場動向
      (5) 今後の技術課題
      (6) 学会動向・技術トレンド
   2-3. NANDフラッシュ
      (1) 動作原理と特徴・構造
      (2) スケーリングの限界と3D構造への転換
      (3) 製造プロセスフロー例
      (4) 市場動向
      (5) 学会動向・技術トレンド
   2-4. NORフラッシュ/ロジック混載フラッシュ
      (1) 動作原理と特徴・構造
      (2) スケーリングのあゆみ
      (3) 市場動向
      (4) 学会動向・技術トレンド
   2-5. 新メモリデバイス技術とその最新動向
      (1) MRAM(磁気抵抗メモリ)
      (2) PCM(相変化メモリ)
      (3) FeRAM(強誘電体メモリ)
      (4) ReRAM(抵抗変化メモリ)
3. おわりに ~さらなる飛躍へ~
      (1) 関連産業動向と市場
      (2) まとめ
【質疑応答】